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1N6303A中文资料

1N6303A图片

1N6303A外观图

  • 大小:740.38KB
  • 厂家:TAIWAN SUNMATE SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
  • 描述:VOLTAGE RANGE: 6.8 - 200 V 1 of 4 1N6267(A) - 1N6303(A) POWER: 1500Wa t t s Features Glass Passivated Die Construction Uni- and Bi-Directional Versions Available Excellent Clamping Capability Fast Response Time Plastic Case Material has UL Flammability Characteristic Symbol Value Unit Peak Pulse Power Dissipation at T A = 25°C (Note 1, 2, 5) Figure 3 PPPM 1500 Minimum W Peak Forward Surge Current (Note 3) IFSM 200 A Peak Pulse Current on 10/1000μS Waveform (Note 1) Figure 1 IPPM See Table 1 A Steady State Power Dissipation (Note 2, 4) PM(AV) 5.0 W Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG -65 to +175 °C Note: 1. Non-repetitive current pulse, per Figure 1 and derated above T A = 25°C per Figure 4. 2. Mounted on 40mm 2 copper pad. 3. 8.3ms single half sine-wave duty cycle = 4 pulses per minutes maximum. 4. Lead temperature at 75°C = T L . 5. Peak pulse power waveform is 10/1000μS. www.sunmate.tw ! ! ! ! ! Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T A
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器
  • 极性:Unidirectional
  • 通道:1 Channel
  • 钳位电压:274 V
  • 工作电压:171 V
  • 封装 / 箱体:DO-201AD
  • 击穿电压:190 V
  • 峰值浪涌电流:5.5 A
  • 峰值脉冲功率耗散:1500 W
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 封装:Bulk
  • 尺寸:5.3 (Max) mm W x 9.5 (Max) mm L

1N6303A供应商

更新时间:2022-12-31 06:22:38
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